InGaAs雪崩二极管
InGaAs雪崩光电二极管可以实现从1100nm到1700nm的高量子效率探测，并且在该波段内可以保持高增益、高量子效率和高带宽，光敏面尺寸可高达200μm。窗口和光敏面之间距离较短以便于连接光学系统。
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实验帮词条：InGaAs雪崩二极管，光电二极管
InGaAs雪崩二极管
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80um >1000MHz <50nA 10 80um >9.3 A/W 200MHz 0.14/<0.20 V/°C 1100nm-1700nm 40V-70V 1550nm 80um 1.25pF TO-18 40V-65V -
200um >600MHz <150nA 10 >9.3 A/W 0.14/<0.20 V/°C 1100nm-1700nm 40V-70V 1.6um 2.5pF TO-18 40V-65V -
50um 2000MHz 25/<50 nA 10 50um >7.9/8.9 A/W @1300 nm, >8.1/9.4 A/W@1550 nm 0.20 V/°C 1100-1700nm 60V 1550nm 80um 0.6/<0.8 pF TO-18 40-90V -
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