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雪崩光电二极管

雪崩光电二极管(Avalanche Photodiode, APD)是一种光探测器,利用载流子的雪崩倍增效应来放大光电信号以提高检测的灵敏度。其结构通常采用容易产生雪崩倍增效应的Read二极管结构(即N+PIP+型结构,P+一面接收光),工作时加较大的反向偏置电压,使得其达到雪崩倍增状态。雪崩光电二极管可以采用不同的半导体材料,例如Si,Ge,InGaAs等。其中硅基雪崩二极管在可见光和近红外线波长区域比较敏感,具有较低的噪声;InGaAs光电二极管适用于更长波长的,例如1600nm的红外线探测,主要可用于高速光纤通信中。

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实验帮词条:光电二极管, 雪崩光电二极管,光纤通信

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